دوشنبه ۰۴ بهمن ۹۵

مقاله #40

#40 کد مقاله زمینه: الکترونیک
عنوان انگلیسی:
Impact of emitter fabrication on the yield of SiGe HBTs
تعداد صفحات انگلیسی:
4 صفحه
عنوان فارسی:
تاثیر نوع ساخت امیتر در بازدهی ترانزیستور های دوقطبی پیوند نامتناجس سیلیکون ژرمانیوم (SiGe HBT )
تعداد صفحات فارسی:
8 صفحه
نوع فایل:
ترجمه word و pdf انگلیسی
قیمت فروش:
70,000 ريال
چکیده فارسی:
مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی
چکیده
با استفاده از رشد برآرایی (اپیتاکسیال)، امیتر های آلاییده شده در محل، برای ساخت ترانزیستور های دوقطبی پیوند نامتجانس SiGe  استفاده می شوند. استفاده از این امیترها مزایایی در ارتباط با عملکرد ترانزیستور دارد. مزیت هایی مانند تاثیر مثبت بر مقاومت امیتر، نویز فرکانس پایین، شکست امیتر-کالکتور و تنوع در ساخت. در این مقاله گزارش می شود که حذف اکسید میان لایه ای بین لایه سرپوش Si در بیس و امیتر می تواند تاثیر چشمگیری بر قابلیت انتشار و بازدهی ترانزیستورهای کوچک داشته باشد. بر اساس هندسه قطعه، فعالیت حراراتی با دمای بالا در لایه امیتر آلاییده شده با As یکی از فرایند های مهم مرتبط با شکل گیری نقص است.
عبارات کلیدی: یکپارچه سازی BiCMOS، ترانزیستور های دوقطبی پیوند نامتجانس SiGe ، ساخت امیتر، شکل گیری نقص

نسخه انگلیسی:
قیمت فروش:
70,000 ريال
پرداخت اینترنتی و دریافت

زمینه مورد نظر:

به این صفحه امتیاز دهید :

new order new order
ورود به سیستم
- فراموشی گذرواژه ؟
محاسبه فوری هزینه ترجمه
شما میتوانید با انتخاب زمینه و زبان ترجمه و وارد نمودن تعداد کلمات متنی که باید ترجمه شود، هزینه و زمان تحویل ترجمه را بدست بیاورید.
زمینه: زبان: تعداد کلمه:
پست الکترونیکی شما :

خبری شد خبرتان خواهیم کرد!