مقاله #40

Impact of emitter fabrication on the yield of SiGe HBTs

4 صفحه

تاثیر نوع ساخت امیتر در بازدهی ترانزیستور های دوقطبی پیوند نامتناجس سیلیکون ژرمانیوم (SiGe HBT )

8 صفحه

ترجمه word و pdf انگلیسی

70,000 ريال

چکیده
با استفاده از رشد برآرایی (اپیتاکسیال)، امیتر های آلاییده شده در محل، برای ساخت ترانزیستور های دوقطبی پیوند نامتجانس SiGe  استفاده می شوند. استفاده از این امیترها مزایایی در ارتباط با عملکرد ترانزیستور دارد. مزیت هایی مانند تاثیر مثبت بر مقاومت امیتر، نویز فرکانس پایین، شکست امیتر-کالکتور و تنوع در ساخت. در این مقاله گزارش می شود که حذف اکسید میان لایه ای بین لایه سرپوش Si در بیس و امیتر می تواند تاثیر چشمگیری بر قابلیت انتشار و بازدهی ترانزیستورهای کوچک داشته باشد. بر اساس هندسه قطعه، فعالیت حراراتی با دمای بالا در لایه امیتر آلاییده شده با As یکی از فرایند های مهم مرتبط با شکل گیری نقص است.
عبارات کلیدی: یکپارچه سازی BiCMOS، ترانزیستور های دوقطبی پیوند نامتجانس SiGe ، ساخت امیتر، شکل گیری نقص

70,000 ريال