دوشنبه ۲۰ آذر ۹۶

مقاله #70

#70 کد مقاله زمینه: برق
عنوان انگلیسی:
A gm-boosted common-gate CMOS low-noise amplifier with high P1dB
تعداد صفحات انگلیسی:
4 صفحه
عنوان فارسی:
تقویت کننده با نویز کم CMOS با گیت مشترک با gm تقویت شده و P1dB بالا
تعداد صفحات فارسی:
11 صفحه
نوع فایل:
ترجمه word و pdf انگلیسی
قیمت فروش:
100,000 ريال
چکیده فارسی:
مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی
چکیده
در این مقاله یک تقویت کننده با نویز کم (LNA) با گیت مشترک (CG) و gm تقویت شده و رسانایی متقابل 2.4 گیکاهرتز و با نقطه فشرده سازی بالای یک دسیبل پیشنهاد شده است. برای غلبه بر محدودیت CG LNA های مرسوم از نظر عدم هماهنگی ورودی، فیلترهای RF که شامل فیلترهای باند توقف و بالا گذر هستند به ترتیب به عنوان اجزای تطبیق بار و تطبیق درون مرحله¬ای مورد استفاده قرار گرفتند. بنابراین، gm را می توان آزادانه برای بهره بالا و رقم نویز کم (NF) بدون کاهش امپدانس ورودی افزایش داد. علاوه بر این، خطی بودن نیز بهبود می یابد زیرا بار فیلتر توقف باند می تواند هارمونیک های دوم را کاهش دهد. LNA کاملاً یکپارچه توسط تکنولوژی RF CMOS 0.18 μm اجرا می شود و P1dB ورودی آن -1dBm، بهره توان  14.8 dB و NF  آن 3.7 dB است. مصرف این LNA 8.2 میلی آمپر در ولتاژ منبع 1.8 ولت است.
واژگان کلیدی: LNA با گیت مشترک - تقویت کننده کم نویز - LNA  تقویت شده با gm  - P1dB بالا
نسخه انگلیسی:
قیمت فروش:
100,000 ريال
پرداخت اینترنتی و دریافت

زمینه مورد نظر:

به این صفحه امتیاز دهید :

new order new order
ورود به سیستم
- فراموشی گذرواژه ؟
محاسبه فوری هزینه ترجمه
شما میتوانید با انتخاب زمینه و زبان ترجمه و وارد نمودن تعداد کلمات متنی که باید ترجمه شود، هزینه و زمان تحویل ترجمه را بدست بیاورید.
زمینه: زبان: تعداد کلمه:
پست الکترونیکی شما :

خبری شد خبرتان خواهیم کرد!