#70 کد مقاله | زمینه: برق | ||
عنوان انگلیسی: |
A gm-boosted common-gate CMOS low-noise amplifier with high P1dB |
تعداد صفحات انگلیسی: |
4 صفحه |
عنوان فارسی: |
تقویت کننده با نویز کم CMOS با گیت مشترک با gm تقویت شده و P1dB بالا |
تعداد صفحات فارسی: |
11 صفحه |
نوع فایل: |
ترجمه word و pdf انگلیسی |
قیمت فروش: |
100,000 ريال |
چکیده فارسی: |
مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی چکیدهدر این مقاله یک تقویت کننده با نویز کم (LNA) با گیت مشترک (CG) و gm تقویت شده و رسانایی متقابل 2.4 گیکاهرتز و با نقطه فشرده سازی بالای یک دسیبل پیشنهاد شده است. برای غلبه بر محدودیت CG LNA های مرسوم از نظر عدم هماهنگی ورودی، فیلترهای RF که شامل فیلترهای باند توقف و بالا گذر هستند به ترتیب به عنوان اجزای تطبیق بار و تطبیق درون مرحله¬ای مورد استفاده قرار گرفتند. بنابراین، gm را می توان آزادانه برای بهره بالا و رقم نویز کم (NF) بدون کاهش امپدانس ورودی افزایش داد. علاوه بر این، خطی بودن نیز بهبود می یابد زیرا بار فیلتر توقف باند می تواند هارمونیک های دوم را کاهش دهد. LNA کاملاً یکپارچه توسط تکنولوژی RF CMOS 0.18 μm اجرا می شود و P1dB ورودی آن -1dBm، بهره توان 14.8 dB و NF آن 3.7 dB است. مصرف این LNA 8.2 میلی آمپر در ولتاژ منبع 1.8 ولت است. واژگان کلیدی: LNA با گیت مشترک - تقویت کننده کم نویز - LNA تقویت شده با gm - P1dB بالا |
||
نسخه انگلیسی: |
|||
قیمت فروش: |
100,000 ريال |
||
پرداخت اینترنتی و دریافت
|