مقاله #71

LOW LEAKAGE CNTFET FULL ADDERS

5 صفحه

فول اَدِرهای CNTFET کم نَشت

7 صفحه

ترجمه word و pdf انگلیسی

100,000 ريال

چکیده
مقیاس تکنولوژیک به حد ۳۲ نانومتر یا کمتر هم رسیده است، نشت توان اکنون، با این وضع بیشترین مقدار مصرف توان کل را به خود اختصاص داده است. کاهش این نشت خود مساله ای بزرگ است که تکنولوژی های CMOS امروزی با آن روبرو هستند. نانوتیوببهای FET نانوکربنی یا CNTFET به نظر وسایل آینده داری به عنوان گزینه جایگزینی برای CMOSها به شمار می آیند. چون که فول اَدِر، یکی از بخشهای اصلی ALU است، نقشی مهم در سرعت و میزان مصرف دارد. در این مقاله چندین نوع مدار فول اَدِر CNTFET از لحاظ طراحی و تکنیکهای کاهش نشت مختلف مورد مقایسه قرار گرفته است و کارایی آنها بیان شده است. نهایتا یک مدار فول اَدِر با تکنیک فیدبک نشتی تک ترانزیستوری خوشه ای طراحی و پیشنهاد شده است که نشان داده است که این مدل میتواند میزان نشتی را با حفظ کارایی نسبت به سایر تکنیکها، به میزان بیشتری کاهش دهد.
واژگان کلیدی: توان نشتی، فول اَدِر، نانو تیوب کربنی یا CNTFET، HSPICE

100,000 ريال